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6英寸碳化硅设备
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分类
电阻法碳化硅晶体生长设备
UK-T6
1、完美解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点,可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控,晶体内部缺陷少, 良率高、重复性好;2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比,UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快,整个过程可控制在7天之内;3、 自动化程度高,操控简单,有利于批量生产,提高晶体生长效率和稳定性。
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